晶体管元件查询
型号：KHB4D5N60F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】36 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-220SIS
更多N沟道场效应管BUZ71AFSGU360N65W3IXFK32N602SK1243IRFD010FQD2N100FFSSUM-18(A)2SK552N6661WMN14N65C22SK2607DHD100N06IRF615STP40N20IPP110N20N3G(110N20N)