晶体管元件查询
型号：LNL05R100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：3 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】15 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】15 A
漏极和源极电压（VDSS）：50 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.01 Ω
封装：SOP8
更多N沟道场效应管IPP220N25NFD2SK2561SG85N12A2SHB2SK2350SSF7N80AHY4008PLSB65R070GFSP75N18IXFN36N60BA5N10SSH9N90AFLC311MG-4SGD660N70W3SP85N80