晶体管元件查询
型号：OSP8N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】152 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】152 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管RFP8N20LNSA340020N502N6762DHE90N045RME15N10-GSTB9NK50Z-1IRF1213SK97SSP6N70AMTP12N20IXTA460P2CRST055N08NIRFP260NPBFIRFB4228PbF