晶体管元件查询
型号：TSA20N50M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】280 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】280 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.26 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管2N6761FIR140N098PGIRFP2907PBFIXFK44N50QMXP8835ALBSN274IRFF120JCS7N65CB2SK2601MDP10N50TH2SK3710NDP603A3SK177HSS3N10CS8N65F