晶体管元件查询
型号：U3N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.1 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管NCE01H14IRF713HY1001BHRA82N10KLSE65R099GF5N65HY5012ASVD640T2SK406LSD80R350GTLNC5N50LNSA3400LSD65R180GF2SK685NE345L-10B