单结晶体管BT32参数

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发布时间 2016-03-26

单结晶体管(UJT)又称基极二极管,下面是早期国产单结晶体管BT32参数,它分为A~H共8个具体型号。

BT32A参数

分压比(η):0.3~0.55
基极间电阻(RBB):3~6kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32B参数

分压比(η):0.3~0.55
基极间电阻(RBB):5~10kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32C参数

分压比(η):0.45~0.75
基极间电阻(RBB):3~6kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32D参数

分压比(η):0.45~0.75
基极间电阻(RBB):5~10kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32E参数

分压比(η):0.65~0.85
基极间电阻(RBB):3~6kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32F参数

分压比(η):0.65~0.85
基极间电阻(RBB):5~10kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32G参数

分压比(η):0.55~0.75
基极间电阻(RBB):10~15kΩ
E对B1间反向电压:≥60V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

BT32H参数

分压比(η):0.55~0.75
基极间电阻(RBB):5~10kΩ
E对B1间反向电压:≥40V
反向电流:≤1μA
峰值电流:≤2μA
饱和压降:≤4.5V
调制电流:9~35mA
耗散功率:300mW

测试条件

基极间电阻:UBB=20V;IE=0
E对B1间反向电压:IEO=1μA
反向电流:UEBO=60V
峰值电流:UBB=20V
饱和压降:UBB=20V;IE=50mA
调制电流:UBB=20V;IE=50mA

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