单结晶体管触发电路之一 图1（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。可从电阻R1上取出脉冲电压ug。 (a) 张弛振荡电路(b) 电压波形 图1 单结晶体管张弛振荡电路 假设在接通电源之前，图1(a)中电容C上的电压uc为零。接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。当uc等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20），电容器向R1放电。由于电阻R1取得较小，放电很

单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB，一般在2~15kW之间，RBB一般可分为两段，RBB = RB1+ RB2，RB1是第一基极B1至PN结的电阻；RB2是第一基极B2至PN结的电阻。单结晶体管的符号见图1的右侧。 图1 单结晶体管的结构、符号、等效电路 单结晶体管工

单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 图1、单结晶体管 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻

一、单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管的外形 很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极 e，第一基极b 1 ，第二基极b 2 ，又叫双基极二极管。因为只有一个PN 结所以 又称为 单结晶体管 。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b 1 ，表示经PN结的电流只流向b 1 极。 单结管的等效电路如图 (C)所示，r b1 表示e与b 1 之间的等效电阻，它的阻值受e-b 1 间电压的控制，所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用 R bb 表示，即： R bb =R b1 +

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT31参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT31A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率：300mW BT31B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT32参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT32A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA 耗散功率：300mW BT32B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT33参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT33A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率：500mW BT33B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率

如图所示为单节晶体管性能检测电路。 被测单结晶体管VBT(如：BT33)与R3、C2组成张弛振荡器。VBT在导通时，三极管VT1通过偏置电阻R2获得偏置电流(此时S1断开，S2闭合)，发光二极管H1发光。+10V电源通过R3经VD2向C2充电。电压表V可以测量出C2两端的电压会随着时间的推移在不断上升，E端电位达到VBT的峰值电压时，VBT的E～B1间便自动导通，电容C1上的电压经E～B1放电，使三极管VT1的发射结受反偏截止，H1熄灭。如果被测单结晶体管VBT是好的，电容C1就会周而复始地充电

使用白炽灯调光器可以很简单，无非就是一个电位器，电阻器，电容器和可控硅，有一个内置的双向触发二极管。 下面的电路类似，使用单结晶体管来产生触发脉冲的设计。单结晶体管被替换为一个双管闪光电路，驱动脉冲变压器。 电路原理图 对于R选项 调光器可以以多种方式进行控制。对于R的第一个选项显示了一个典型的机械控制和所述第二选项显示了使用一个光隔离器进行电气控制的调光器。 记住，整个电路未与市电隔离，做好绝缘处理！ 该电路将产生显著射频噪声，建议加入线路滤波器。

在某些场合可能需要能够周期性循环定时控制的定时器，本文所述电路即可完成这一要求，每1~2个小时定时器可以接通被控电路工作1~3分钟，接通时间和关闭时间可以独立调节。下面就以控制一个交流电机示例，电路图如下： 555时基芯片和VT2、RP1、C3、RP2、R3等元件组成一个无稳态多谐振荡器。单结晶体管VT2和电位器RP1构成对电容C1充电的恒流源，相比于一般的阻容回路，具有充电速度恒定线性好和长延时等优点。当电源接通时，555电路置位，继电器K吸合，常闭触点K1-a、K1-b断开，K2不动作

夏天到了，苍蝇这个不速之客也来了。本文介绍一种捕灭蚊蝇的电子装置，用它来对付苍蝇不失为一种好方法。 电子灭蝇器的电路图如下： 看过电路图，是不是觉得很简单呢？没错！下面我们来分析一下电路的工作原理。 该装置由220V市电直接供电无需配备电源。电路中的电阻R3、R4、R5和电容C1，与单结晶体管VT组成张驰振荡器，输出的脉冲信号用于控制可控硅的导通和关断。接通220V电源后，市电经二极管VD整流后向电容C3充电。当张弛振荡器输出的脉冲触发可控硅导通后，电容C3上的电荷迅速向L1放电，

这是一个用于驱动日光灯的电路，由10~20V的直流电源供电。电路如下所示： 工作原理 初始时，Q1发射极驱动MOSFETQ2的栅极变高，使Q2导通。这时变压器初级线圈T1表现为一只电感，电流在电感中逐步斜升。当T1、Q2中通过的电流上升到0.62／Rs安培时(设计值约lA)，Q3就导通。把Q1基极及Q4栅极电位拉向地电位，导致可编程单结晶体管Q4触发，这时Q4表现为一只可控硅并迅速驱动Q2的栅极为零。这时，存储在T1初级线圈中的能量便转向次级线圈，使日光灯受激。这时Q4仍维持原状，直至

如图所示，电容测试仪包括脉冲产生器、单稳态触发器、直流放大和表头指示电路。本测试仪可测量小至几皮法，大至１０微法的电容。量程分为六档： 0~100pF,0~1nF,0~10nF,0~100nF,0~1F,0~10F. 单结晶体管VT1（BT33C）与R1、R2、R4、C1等组成张弛振荡器，通调开关SW1a接R1时，产生周期为3ms的尖脉冲；接R2时，产生周期为30ms的尖脉冲。IC1（555）与R7~R9和待测电容Cx组成单稳态触发电路。输出脉宽取决于充电时间常数RC值，即 t=1.

该大功率闪光器电路由１２Ｖ蓄电池提供电源，输出功率可达４０Ｗ，用来驱动１２Ｖ、３Ａ的灯泡闪光。闪光频率可调，最高1Hz，占空比也可调节。闪光器自带光控功能，白天停止工作，夜间开启闪光。该１２Ｖ大功率闪光器的电路图如下所示： SCR1和SCR2组成一个基本的直流触发器。灯负载接到一个可控硅整流器的阴极引出线，以便灯的另一端可以处在地（负）电位（这在某些场合是需要的）。触发器定时由一个普通的单结晶体管振荡器电路（Q1、R1、C3等）来控制。电位器R2和二极管CR1可单独控制通/断定时。光敏电阻在白

两款超声波驱鼠器电路，具体应用效果未知 １、555时基电路组成的扫频式超声波驱鼠器电路 555时基集成电路接成扫频式超声波发生器，扫频信号取自变压器T二次侧50Hz工频信号，经R3加至555时基集成电路的控制端5脚，从而达到改变输出脉冲频率的目的。采用图所示数据，输出频率变化范围为32一62kHz，电信号再经超声换能器B向空间辐射超声波。 ２、单结晶体管组成的超声波驱鼠器电路

本电路可以发出当的的模拟钟声，全分立元件结构。电路原理如附图。 电路中，单结晶体管VT4、电阻R11~R12、电位器RP和电容C6等组成一个张弛振荡器，调整电位器RP使之产生近似钟声的音频信号，这个信号通过电容C4电阻R10加到三极管VT3的基极。 三极管VT1、VT2等组成自激多谐振荡器，调整电阻R2、R3、R4的阻值即可改变振荡频率。当三极管VT2饱和导通时，电源电压通过二极管VD向电容器C3充电，与此同时通过电阻R8、R9分压，有一正向偏压加至三极管VT3的发射结，使VT3导通，把从张弛振