IGBT管(绝缘栅双极型晶体管)的检测方法

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发布时间 2009-05-22

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。

  IGBT管好坏的检测

  IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。

  检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻,对于正常的IGBT管(正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时,e、C极间均有4kΩ正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极,若所测值在3.5kΩl左右,则所测管为含阻尼二极管的IGBT管,若所测值在50kΩ左右,则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下,IGBT管的C、C极问正向压降约为0.5V。

IGBT管的检测方法

  综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。 如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

  IGBT管放大能力的粗略判断

  用MF500型万用表R×10k挡,红表笔接e极,黑表笔接c极时,阻值为无穷大;若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极,阻值立即降至110kΩ;若用黑表笔触一下G极,再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。

  由此可见,IGBT管放大能力的判断方法类似于三极管放大倍数的判断。用以上方法还可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极,剩下一脚便为G极。

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