晶体管元件查询
型号：12N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：260 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管18N10FTA06N65CJCS4N65FFLR024XP/XVIXTH10N60LSC65R180HT2SK1378AOD4186SMT8N60FTP16N06NFLM5964-14/DJCS4N60BNCE3065KIRFAG40STFI4N62K3