晶体管元件查询
型号：SMT8N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】116 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】116 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220C
更多N沟道场效应管IRF522HY4504AFLR054XVDHF540NE33284AJCS5N50CT2SK2630IPB200N25N3G(200N25N)BUZ84IRFPE52IRFSZ34DHI80N08LSE65R180GTIXFP10N60PFDP20N50