晶体管元件查询
型号：2N5886
类型：NPN三极管
集电极耗散功率（PC）：200 W
集电极电流（IC）：25 A
集电极最大允许电流（ICM）：50 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：80 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：80 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：1000 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：1000 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝15 A】1 V
【集电极电流（Ic）＝15 A】1 V
特征频率（fT）：4 MHz
直流放大系数（hFE）：20~100
芯片材质：硅
备注：与2N5884互补
封装：TO-3
更多NPN三极管2N6338C3998TIP352N6340BUW502SC5047BD249ATIP35CP2SD1313D1672BD249B2N58852SC24422SD9142SC2879