晶体管元件查询
型号：2N6766
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.085 Ω
封装：TO-204AE
更多N沟道场效应管FLM7177-4C/D2SK1420IRFK2FC50IPB200N25N3G(200N25N)HY3606B2N7002K(H702K)IPA60R190C6(6R190C6)HY4504ADH200N082SK69FQPF6N80CS85N16RNCE65R2602SK274SiHF740S