晶体管元件查询
型号：2N6770
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.4 Ω
封装：TO-204AE
更多N沟道场效应管STH5N90LNL05R155IRF460FQU2N100DHF180N102SK1637AUIRFS8409-7PIPB05CN10NCM2N60FBF256BIPS70R950CE(70S950CE)HY3906BS85N12RNCEP02T10FHF540