晶体管元件查询
型号：FQU2N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：9 Ω
封装：IPAK
更多N沟道场效应管SPI12N50C3STP100N8F6IXTM4N90(A)HY3312BFLM4450-12DIRC450LSF70R1KGTBUZ376IRFP250MPBFFTP06D85SGT190N65SJSST65R650S2BUK454/800A8N90LSH65R950HT