晶体管元件查询
型号：2N7219
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：125 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-254AA
更多N沟道场效应管IRFP252LND08R055W3STH60N10FI2SK3262-01MRWGF13N50SELNL045R140FKP300AFTP05N50DIRF533FQA40N252SK2652-01LND12N65FLM6472-25DAPT26F120B2LND16N60