晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:APT26F120B2
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
1135 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
27 A
漏极和源极电压(VDSS):1200 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.58 Ω
封装:TO-247

更多N沟道场效应管2SK940SGB380N65SJDHD80N082N6798STD4NK60ZT4SGD1K1N70W3UV80N03L2SK1036STP80NF55-06FPIPP120N20NFDIXTP460P2IRFK2F450FDPF18N50MDF5N50FK3115

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