晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:2SK1120
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):150 W
漏极电流(ID):8 A
漏极和源极电压(VDSS):1000 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.8 Ω
封装:TO-3P

更多N沟道场效应管IRFI634DHE85N08IXTK62N25STB13N60M2BUK456/200BSGT380N60SJDHF100N03LNH7N65DIRLU024FLM4450-25DIRFK3D450LNL05R100STP50NF25JCS7N65BBIXTQ50N25T

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