晶体管元件查询
型号：IXTQ50N25T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管IRFF433RF1S40N10SMIPP60R099C6(6R099C6)CS72N12FQP6N80CSGB1K4N65W3MTP3055EOR80H16LNG05R100MGFC36V525850N20MDU1517IRFP254TTB115N08A75NF68