晶体管元件查询
型号：2SK1180
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】85 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】85 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】8.5 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】8.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-3PML
更多N沟道场效应管STH9NA60FHP110N8F5B2SK34692SK3473MTP8N20STP6NB907N20UF3N25CRSQ036N10NRU80N15RSTB5NB80SUV90N06-05STP6N95K5LNC10R180S85N16S