晶体管元件查询
型号：S85N16S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】258 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】258 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IRFAC30IRF3212SK36712N65LDHD5402SK69LNH045R055AOK60N30IXFN200N06MGF1302SSH7N90MGFK37V4045SUB85N03-07PDHB80N08STP6NK90ZFP