晶体管元件查询
型号：34N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：560 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】34 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】34 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.24 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管TK4A65DAIRFAE42IRFSL4410ZPbFSLF13N50A2SK3595FHP30N1F10AFLM4450-12DIXTM4N80(A)FLM6472-25DAIRFSZ25SVD7N60IRF643IRFF3222SK11802SK2602