晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DD50E
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：1 W
集电极最大允许电流（ICM）：1 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：150 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：3 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：400 μA
直流放大系数（hFE）：≥10
芯片材质：硅

更多NPN三极管BSR413DD52C3DD51C3DA183DD51D3DG84G2N3119C8050BSR422N49242N49273DG84EJAN2N3444CT6393DD52B

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