晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DG111B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：30 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅

更多NPN三极管3DG8ABCP1073DK7C3DG9A3DX200B3DG8D2SD10103DG32A3DX201A3BX85C3DG304B3DG81C3DG111M3DG9B3DX106

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