晶体管元件查询
型号：3DG111M
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：15 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.5 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.5 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：25～270
芯片材质：硅
更多NPN三极管BC238PCL3DG4153DG111B3DG81C3DG304A2SC11293DG4023DX103SCA442SC761AD8133DG32A2SC1890ABC237PAL3DG161D