晶体管元件查询
型号：3DG200C
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：25 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：20 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.05 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：100 MHz
直流放大系数（hFE）：25～270
芯片材质：硅
更多NPN三极管2G210B2N4443DG102C3DG102D3DG104B2G910B2SC28393DG6BASY613DG142A3DG101B3DG101A3DG141C3DG103B3DG100D