晶体管元件查询
型号：3N171
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.8 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.8 W
漏极电流（ID）：0.03 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：200 Ω
备注：Vgs(th)≤3V
封装：TO-72
更多N沟道场效应管FLL101MEJCS4N60B2SK11012N4393SGT190N65SJMDD1752KF7N50PSVG076R5NKLLNH04R075IRF831STF6N95K530N02SVT078R0NSIRFK4H150BUZ22