晶体管元件查询
型号：SVG076R5NKL
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：114 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：70 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0065 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管LNDN10N65DHB0159LSG60R380HTMFA254IRFJ343SSW5N80AAOD400HY3403UKIA2906AIRCZ34LSH65R1K6GTSTW20NM60FTP12N06NSGD1K1N65W3IRFPC30