晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3N25
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.7 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管BUZ50AFHP150N03CIRFF311MDP11N602SK13452SK260810N65SVF10N60TSVD12N60IRC350STD65NF06BF245ASTP4NA80FDHI3205TIRFK4H150

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