晶体管元件查询
型号：MDP11N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：182 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.55 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管HY3410PFLM7785-4C/DBSH105KHB4D5N60PIRFZ15IRF513FCH35N60DHB3205FHP75N100AOD4186FHU5N60ASVD10N60LNH06R230IXFK44N50QSGW190N65SJ