晶体管元件查询
型号：4N65G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：106 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管3SK1402N6764AOI482IRFAE40IRFPG30MGF2124FSTW20NK50ZJCS20N60CAHZJ85N95IXFT15N100Q3STV6N60IRFJ423STH7N90LSD65R650HTMTD3055V