晶体管元件查询
型号：4N65K
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：106 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管SGD660N60W3SGB380N60SJSTP3NA60FBUK443/60B2SK428LNH04R0502N60LFQA140N1010N65D-TRDHI32052N6759IXFH120N20PIRFK4J250IRFIZ24CS150N04