晶体管元件查询
型号：8N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFZ24NBUZ901SVG086R0NTSTB12NM50NFQP3N252SK183，183EJCS7HN60VOR7080FMI07N90EFHA40N50IRFAE30SGW110N50W3LSH65R570GTCJQ4438FLL351ME