晶体管元件查询
型号：SVG086R0NT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】156 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】156 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管NCE85H21TCMGFC36V3742FTP03N50D10N65FCTS300HIRFF321MGFK35V2732MDP11N60IXTH6N70(A)NCE3050KRM120N60T2NCE3090KCS72N12SGF450N50W3LSD70R450GT