晶体管元件查询
型号：AON6512
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】83 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】83 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0017 Ω
封装：DFN5X6
更多N沟道场效应管JCS8N60BSGI360N60W3MGF1601DHE150N10STW9NK90ZIRFK4J25013N60-MLLSE70R450GT2SK575IRFD110LNG05R230IXKC20N60CNE320842SK1113MDF15N60G