晶体管元件查询
型号：DHE150N10
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：150 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.005 Ω
总耗散功率（Ptot）：215 W
封装：TO-263
更多N沟道场效应管YFW20N60A8(20N60AF)IXTH10N603N171BUZ215DHI140N09HY3912A2SK35642SK235290N0975N10D2SK1257FDH44N50IXTM5N100(A)NCE01H13DIPD250N06N3