晶体管元件查询
型号：2N6798
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.42 Ω
封装：TO-39
更多N沟道场效应管IRF640N2SK2674P50N03LDGIRFI740CS64N12FLM1011-12D2SK575LND2N652SK3639DHI130N03SGF180N65W3DHE150N06IRLR110MDU1511IPB80N04S4-03(4N0403)