晶体管元件查询
型号：APT5010JVR
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】450 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】450 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】44 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.1 Ω
封装：SOT-227B
更多N沟道场效应管SSP65R650S2SVF14N60TIRF3422SK2978DG5N60BR80N752SK273LH55N03IRFG110AOD5N40IRL3713LPbFIRFJ131DH3260VNTMFS006N08MCSGI1K1N70W3