晶体管元件查询
型号：BR80N75
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】80 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK2750WFF13N50KF7N50PDHE90N035R2SK3591TS300HLNC06R062LSE70R640GTIRC533JCS2N60R3N25MGF1412TK040Z65ZKGF1800CS8N70FA9RG