晶体管元件查询
型号：CS8N65F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：38 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管SVF7N65CMJ2SK526FHP730DHD1710DHE140N092SK2983LNC10R180SGW125N60W3DHB100N06SGW280N65W3IRC634IXTM5N95TK13A65UFTP18N06NSTF9NK90Z