晶体管元件查询
型号：EMD04N04E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：227 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】155 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】155 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFU224SSM09N90GWBUK563-60AIRF153SVG076R5NKLFLR024FHIRFAC32LSE70R450GT3SK2722SK955FLS09DHI90N055RSGW180N60W32SK37132SK279