晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：FDA20N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.24 Ω
封装：TO-3P

更多N沟道场效应管STP4NA60F3N171FTW20N50ATK25N60XLNG5N502SK1241SGW160N50W3LNC2N60STP7N95K3DHB070N06IRFAG402SK526LNL05R100TSF12N60MIRFSL38N20D

中文 - English

电子爱好者