晶体管元件查询
型号：FHD80N06B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK223HYG068N08NR1PIRF10102SK3980IRFP153STW8N802SK3918IRFD110HYG011N04LS1TASGF650N80W3FLX03MB04N03IRFP352P20N60TD2IRF2807