晶体管元件查询
型号：HYG011N04LS1TA
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】320 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】320 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0012 Ω
封装：TOLL
更多N沟道场效应管16N60BUZ36IPP120N06N2SK2899BUZ50ALSH70R640GTLSG55R290GTSKD502TSVG086R0NTIRFF331IRFP4568SGH5002E2SK1299SVF2N60NFIPD70R360P7S(70S360P7)