晶体管元件查询
型号：FQA28N50F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】310 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】310 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.16 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管3SK191IPI200N25N3G(200N25N)MGF4302AYTC100N10T24N50H2SK359STH10NC60FIMDP7N60IRL540MGF1412MGF1402MTP10N60-TA6N60FMGF1902MTP4N50