晶体管元件查询
型号：FQB55N10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：155 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】55 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】55 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.026 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管TTK2837HY3215PSLSD80R680GTLNG045R055FHF5N60AMDP1922IRFK2D250PTP04N04NALSF70R640GT2SK104611N90STW8N80LSB60R125HTHY3912ASTH7N80