晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：FQD2N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：44 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.9 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：4.7 Ω
封装：D-PAK

更多N沟道场效应管STW7NA90KS6205GBIRFK4JE50JCS8N60BIRFK2D150STF26N60M22N72223SK204NE32384A3SK1132SK3209FDA59N302SK587IRFJ12116N50

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