晶体管元件查询
型号：FDA59N30
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 A
漏极和源极电压（VDSS）：300 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.056 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管LNG05R230GI85T03LND16N602SK3102-01RIRFR1205IRFJ123IRFK3FC50HFP830IXTH11N95STP9NK70ZAOK60N30DHB90N035RIRFSL38N20DIRFP255MDD1903