晶体管元件查询
型号：FQP70N10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】57 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】57 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.023 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK301720N65MTP8N18FDBL9403-F085FHP120N9F4ASVT085R5NL5TRIRFP4368PbFIRF3710LPBFIRFSL4410ZPbFSTP4NB100DN2540N8STF2HNK60ZFLM6472-14/DCS8N65F2SK2538