晶体管元件查询
型号：FQPF4N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：36 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.2 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管CEB85N75IRFB4227PbFIRF132IRFJ241IRFZ44CNSVD12N60FDHF90N045RBSN304SUM90N08-4m8PIRF235BUZ91LNH05R100HY1707BFMC06N90EIXTM5N100(A)