晶体管元件查询
型号：CEB85N75
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】86 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】86 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2N60LJCS4N65RLSGN10R085W3IRFAE40LND10N65FCH060N80ITW1750AIXFK120N20PMGFK37V4045IRFU215BUK446/800BSTP110N8F6CHM94CSTW9NA60IXFK120N20